E2-02 SiC 器件散热与双面冷却技术

课程代码 E2-02 · 板块 E 电驱与电力电子热管理 / 电控/功率半导体散热 时长 约 4.0 小时（7 讲） 前置 E2-01 逆变器散热与冷板；A1-06 热阻网络法与集总参数建模 本讲义定位 讲师授课蓝本 / 学员自学讲义，是 E2-02 大纲的完整展开版

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引言：换 SiC 不是换一个零件，是换掉整本热账

一个真实到近乎乏味的场景：某 800V 平台的主驱要把功率模块从 Si IGBT 换成 SiC MOSFET。电气接口兼容、机械接口兼容，模块厂说可以直接替换。于是散热这一侧顺理成章地按「局部替换」办——冷板图纸沿用、冷板壁到冷却液那一段的热阻预算沿用、进口液温目标沿用，只把模块号改掉。等到样机上台架，结温余量没了。

问题不在于谁偷懒，在于「可以直接替换」这句话说的是电气与机械接口，而热账上被换掉的东西比这句话覆盖的多得多。这门课要做的，就是把这本账重新打开、逐段算清楚，最后回答一个具体的决策问题：这一代要不要上双面冷却，什么条件下它才排到前面。本课承接 E2-01 逆变器/IGBT 散热设计与冷板 的单面链分段与符号、A1-06 热阻网络法与集总参数建模入门 的热阻网络法，往前走的那一步是：把一条串联链拆成两条并联支路，并搞清楚这一步到底买到了什么。

第一根钉子：换 SiC 改变的是「热流密度」与「开关频率」这两个自变量，⛔ 它没有改变结温预算。4H-SiC 的带隙远宽于 Si，器件本身在更高温度下仍能阻断——但一只装进车规模块的芯片能被允许工作到多少度，是由它周围那一整套材料决定的：贴装层、DBC、硅凝胶、塑封料、键合体系，链条上最先失效的那一样定上限，而它不是芯片。所以车规模块的额定 Tj 与 Si IGBT 同档，常见 150~175 ℃（典型档，⛔ 端点不是可承诺值，具体值须按所选模块手册连同定义面与测试条件一起取）；而你在方案里真正拿来卡的那个设计用 Tj_max 一定低于它，由寿命目标反推——它的取法本课不给，去向 E2-07 功率模块热可靠性与寿命评估：功率循环、任务剖面与 AQG 324。真正变了的是分子分母：芯片面积小，在「面积下降的比例大于损耗下降的比例」这个通常成立、但必须逐器件核对的条件下，热流密度上到数百 W/cm² 量级；开关损耗低、可以提频，但提频会把省下的损耗吃回去。⇒ 这根钉子的落点不是一句口号，是一个被禁止的具体动作：换 SiC 之后，禁止沿用上一代 Si 平台的冷板与热阻预算。平台相关的门限必须由本项目重新定，要重算的至少有：热流密度、链上各段的有效面积、下支路的逐段拆账、设计用 Tj_max、可用 ΔTj 预算、进口液温目标。

第二根钉子：双面冷却的收益不是对折，而是一个恒等式定死的数——并联段相对单面的热阻降幅，恰好等于上侧分担的热流比例 f_top。热是在结面产生的，向上向下两股热流从这里分开、到冷却液汇合，所以分流节点就在结面：芯片厚度方向与背面贴装层落在下支路内部，照样参与并联，⛔ 不得把它们当成分流之前的串联段先加上去。由此 f_top = R_bot/(R_top + R_bot)，而 R_par = R_top·R_bot/(R_top + R_bot) = (1 − f_top)·R_bot ⇒ 降幅 ≡ f_top。「上侧分担三成」与「并联段降三成」是同一个数的两种说法，⛔ 不是两件事。对折（降 50%）只在上下完全对称时才成立，而双面封装天生不对称：正面有效接触面积被栅极焊盘与终端区扣掉、spacer 段的扩热被自身截面锁死、上支路整体的扩热面积远小于下支路。还要再叠一条同源要求——两侧冷板共用同一回路时，冷却液沿程温升是共模项：回路带走的总热量不变，这一段不随并联下降，⇒ 结温相对进口的总降幅比 f_top 还要更小。于是形成一个三级阶梯（⚠ 以下三个数是本课教学假设算例的现算结果，属教学假设值，⛔ 不对应任何封装、⛔ 不得引为行业典型值）：50.0%（对折假设）> 33.1%（并联段实降 ≡ f_top）> 28.8%（含共模项后的总降幅）。读反的代价是可以标价的：同一个算例里，把「对折」当设计输入会声称结温 99.7 ℃、余量 25.3 K，而真值是 108.7 ℃、余量 16.3 K——差出来的那 9.0 K 不会在评审会上暴露，它会在夏季高负荷工况的台架上暴露。

还有一句最容易被读反的话，本课把它拎到最前面来说：「近端热阻主导，所以远端强化无效」。前半句是一个趋势，后半句是错的，而错的那一半还会被顺手扩大到一个完全无关的量上。读者读反之后会做的两个具体动作是：① 把冷板降级——从强化流道退回简单直流道、减小流道面积、降低流量目标，理由是「反正瓶颈在芯片近端」；② 同意整车回路把逆变器支路的进口液温目标抬上去，理由一模一样。正确的判据分三层，本课在第 2 讲把每一层当场算给你看（⚠ 以下为教学假设值）：① 「边际收益递减」是真的——把冷板壁到冷却液那一段热阻砍掉一半（双面架构下＝只砍下侧那一段，双面上下各有一段），单面架构下结温只降 4.5 K，双面架构下只降 2.1 K，付出的是砍掉一半、换回来的是个位数 K；② 「所以远端可以放宽」是假的——进口液温在结温式里是加法项、系数恒为 1，抬 10 K，结温就抬 10.0 K，与热阻主导在哪一段完全无关。两个动作的量级差四五倍，方向还相反；③ 「瓶颈在哪一段」与「余量从哪来」本来就是两条互不相干的判据链，⛔ 不得互相推导，在热阻拆账图上也不许用同一条引线把它们连起来。顺带点破同源的另一句：「热流密度上升时各界面温升被线性放大」同样只对近端成立——本课按教学假设几何逐层复算后归纳，放大倍率沿热流方向单调衰减，到冷板对流那一段完全不受影响；⛔ 它不是一条全链的全称结论。

本课的射程，先说清楚，省得你带着错的期待往下读。本课算的只有中间那一段：从结面到冷却液的上下两条支路怎么拆账、怎么并、并了降多少，共模液温升怎么进账，以及「什么条件下才轮到换架构」这条选型判据。有一类量本课只声明必须在模型里留位置、但不给数——芯片间的互热耦合（去向 E2-03 功率模块封装、DBC 与热阻网络 / J6-01 功率器件结温与热阻网络仿真）、装配压力窗口与双面的厚度公差链分配（去向 H5-01 导热界面材料（导热垫/凝胶/灌封）选型）、TIM 装配后的实测口径（去向 H5-01 导热界面材料（导热垫/凝胶/灌封）选型）。还有一类一个数都不给、只写去向——这一份是全集，八项，正文里不会再冒出第九个去向课号：设计用 Tj_max 的取法与功率循环的定量定寿（去向 E2-07 功率模块热可靠性与寿命评估：功率循环、任务剖面与 AQG 324）、pin-fin 与无基板直冷的几何设计（去向 E2-04 Pin-fin 直接水冷散热基板设计）、降额策略（去向 E2-05 结温估计、热保护与主动降额策略）、盒级热与 EMC 滤波（去向 E2-06 主驱逆变器盒级热设计：DC-Link 薄膜电容与非半导体热源）、整车回路的液温目标与流量目标（去向 E4-02 多合一冷却回路共用与温度协调）、件级台架与结构函数实测（去向 L1-10 冷板/液冷总成件级热性能台架试验（模拟热源法） / L7-04 电子/功率器件热测量与表征：TSP 标定、JESD51 热阻实测与结构函数判读）、TIM 的泵出/干涸/硬化这类时效退化（去向 H5-03 TIM 可靠性、泵出与老化；它与 H5-01 导热界面材料（导热垫/凝胶/灌封）选型 的分界按「问的是取值还是问退化」划，见 5.2）、超快充母线的热管理与高压部件之间的协同（去向 N1-01 800V 高压平台热管理挑战，见 7.5）。⚠ 另有一门只在工具与仿真那一层出现：工况谱下的结温时序仿真去向 J6-01 功率器件结温与热阻网络仿真（四门课怎么分，见 5.4 末那张表）。相关标准四本——AQG 324、JEDEC JESD51 系列、IEC 60749、IEC 60747——本课一本都不展开，只写标准号与去向；其中 AQG 324 在体系内由 E2-07 功率模块热可靠性与寿命评估：功率循环、任务剖面与 AQG 324 唯一展开，本课只是挂名列出，⛔ 不讲它的任何子项、加载条件与失效判据阈值。四本的版次与年份一律以现行目录为准，引用前须核。最后一条贯穿全课的口径：从第 2 讲起本课会用一套完整算例把每一步算给你看，它的输入（几何、物性、损耗、液温、Tj_max）全部是教学假设值，⛔ 不对应任何平台、器件或封装，禁止取用——它存在的意义是让每一条判断都可复算、可自检，⛔ 不是给你一组可以抄走的数。

七讲的走法：

• 第 1 讲　SiC 换 Si 到底改了什么——额定 Tj 由谁定、额定与设计用 Tj_max 为什么是两个数、q″ 上升是一个要核的条件不是一条定律、高导热率为什么救不了小面积，以及「提频还是省损耗」这个取向为什么必须先定一个再进散热账。
• 第 2 讲　单面冷却为什么到顶——全课符号一次钉死（热阻 R 与面积热阻 R″、上下支路 R_top 与 R_bot、分担比例 f_top），下支路逐段拆账与占比，界面温升该取哪一处的热流密度，反钉子在这一讲显式点破，最后给出「判单面到没到顶」的四步判法。
• 第 3 讲　双面到底怎么造出来——无键合线把上表面从「只走电流」改成「同时走电流与热」，spacer 的三重角色与它锁死的扩热面积，银烧结替代焊料真正的动机（热阻只是小头），两个装配界面加一条厚度公差链，以及两侧流路怎么连。
• 第 4 讲　收益怎么估——分流节点在结面、并联恒等式、共模项、三级阶梯，还有实测对比里那个混杂因子：真实双面模块通常同时改了下支路，⛔ 不得把整个降幅记到「并联」头上。
• 第 5 讲　双面新增的失效模式——热机械失配与翘曲、烧结层与 spacer 接头的功率循环疲劳、双侧偏载、两处密封面、检测性与返修性，还有被拿掉的那一条（键合线跟部裂纹整类消失，主导失效位点搬家）。本讲只作模式识别，定量定寿去向 E2-07 功率模块热可靠性与寿命评估：功率循环、任务剖面与 AQG 324。
• 第 6 讲　提频这笔账——热、EMC、电机与线束、寄生参数、对策自身的代价、可靠性、控制裕量，一张完整的代价表；以及为什么只在热账里算，提频永远不划算。
• 第 7 讲　选型与权衡——先核「结温不够用时能动的旋钮」全集（双面是这张表里成本最高的一档，⛔ 不是第一档），再用多维判据判值不值，最后是与 800V 平台的协同、供应链成熟度与平台复用的现实。

学完这门课，你要能做三件事：一，把「换 SiC 之后热账哪几项失效了」逐项说清并重算；二，给一个具体封装估出双面相对单面的收益，并说明为什么它不是对折、也不等于总降幅；三，在双面、pin-fin 直冷、降损耗、降液温这几条路之间排出优先级，并给出「这一代要不要上双面」的判据与它的代价清单。

第 1 讲　换 SiC 改了两个自变量，没有改结温预算

这一讲要交出的不是「SiC 有什么优点」这类清单，而是四件在后面每一讲都要当输入用的判断：模块能跑到多少度这件事归谁定（1.1）、你在方案里真正该卡的那个温度是哪一个（1.2）、热流密度到底会不会上升以及凭什么判（1.3、1.4）、以及「开关损耗低」这个优点在散热账上到底算不算收入（1.5）。⚠ 次序是有意排的：1.1 与 1.2 定的是这门课的上边界（结温允许到哪），1.3 与 1.4 定的是输入（热流密度与它的成因），1.5 定的是另一个自变量（开关频率）。三样都定完，才谈得上第 2 讲那条热阻链。全课有一根钉子钉在这一讲，它只有一句话：换 SiC 改变的是「热流密度」与「开关频率」这两个自变量，它没有改变结温预算。这根钉子的落点不是一句口号，而是 1.6 那个被明确禁止的具体动作。

1.1 额定结温上限由封装材料体系定，不由半导体材料的带隙定

是什么。4H-SiC 的带隙远宽于 Si，器件本身在更高的温度下仍然能可靠阻断——这是材料层面的事实。但一只已经装进车规功率模块的芯片，它被允许工作到多少度，是由它周围那一整套材料决定的：贴装层（焊料或银烧结）、DBC、硅凝胶、塑封料、键合体系，每一样都有自己的长期耐温上限与老化速率。⇒ 车规 SiC 模块的额定结温 Tj 与同档 Si IGBT 落在同一档，常见 150~175 ℃（典型额定档，与 E2-01 逆变器/IGBT 散热设计与冷板 / E2-03 功率模块封装、DBC 与热阻网络 同口径）。

为什么是「周围那一套」说了算。因为定上限的是链条上最先失效的那一样，而它不是芯片。硅凝胶与塑封料的长期耐温、烧结层与焊层的疲劳、DBC 的分层——这几条退化机制在 200 ℃ 以下就已经开始主导，芯片自己还远没有到极限。这是一个取最小者的动作，⛔ 不是取平均，更不是取芯片那一项：整条链里最弱的一环把上限压住，把最强的那一环（半导体材料）换掉，上限不动。

工程量级/典型值。150~175 ℃ 只作为区间与典型档给出，来源级别属行业手册与封装材料体系（第 2 级来源），⚠ 区间的端点 ⛔ 不得写成可承诺值——「175 ℃」不是一个你可以拿去和供应商签字的数。具体值必须按所选模块的手册取，而且要连它的定义面与测试条件一起抄下来：同一个「Tj」，在不同手册里可能指虚拟结温、指最热点、指某个标定过的温敏参数读数，三者不是同一个量。

易错点。

• ① 跨射程引用——拿「SiC 器件能耐 200 ℃ 以上」这类器件级说法，去论证模块级可以跑更高结温。这两句话的主语根本不是同一个对象：前者说的是裸芯片的阻断能力，后者说的是一个封装总成的允许工作点。器件级结论不进封装级这条链。
• ② 把额定上限当设计目标——下一节专门讲这一条，它是本讲最容易犯、也最难自查的一个错。
• ③ 以为换 SiC 之后可以放宽 TIM、灌封与密封件的耐温要求——方向恰好相反。热流密度上升之后，近端那几层材料自己看到的温度更高（同样的界面热阻，热流大了温升就大），耐温要求只会更紧。

1.2 额定 Tj 与设计用 Tj_max 是两个数，余量必须量到后者

是什么。上一节那个 150~175 ℃ 是额定 Tj——手册上那条不许越过的红线。而你在方案里真正拿来卡结温的那个值叫设计用 Tj_max，它一定低于额定；两者之间空出来的那一段，就是你能拿去消耗的可用 ΔTj 预算。这是两个数，不是一个数的两种叫法。

为什么必须分开。因为寿命是结温波动幅值 ΔTj 与平均结温的函数：把工作点顶到额定上限附近，等于把寿命预算一次性花光，而热核算这一步看不出任何异常——结温「没超」，仿真绿灯，问题要到功率循环试验或者车队里才现形。所以设计值不是「额定减一个拍脑袋的安全量」，它是从寿命目标反推出来的。⛔ 本课不给设计用 Tj_max 的取值方法，也不给它的数值——那是一整套由任务剖面、ΔTj 谱与寿命模型构成的反推链，去向 E2-07 功率模块热可靠性与寿命评估：功率循环、任务剖面与 AQG 324。本课只负责一件事：把它当成一条已经给定的边界接进来，并且保证架构对比时两边用的是同一条边界。

工程量级/典型值。案例与动手做里出现的 125.0 ℃ 是明确标注的教学假设值，⚠ 它不对应任何平台、任何器件，⛔ 禁止取用，也⛔ 不许把它理解成「额定档的某个安全折算」。⚠ 本讲后面还会出现另外几个同批的教学假设值（进口液温、局部液温、两个算例结温），它们出自同一组假设，全表在第 2 讲首次系统使用前集中列出。

易错点。

• ① 直接拿 175 ℃ 去算余量——于是「怎么算都够」。这是本讲最高发的一条，因为它在形式上完全合法：手册上确实写着那个数，算式也没错，错的是拿它当了设计线。
• ② 把「余量」定义成 Tj 到额定的距离，而不是到设计值的距离。同一个方案，两种量法给出的余量可以差出十几 K，而报告里通常只写「余量 XX K」，不写量到哪条线。
• ③ 架构对比表里两列各用一个 Tj 上限——比如单面那一列量到设计值、双面那一列量到额定值。这样两列根本不可比，而表格看上去规规矩矩。

1.3 q″ 上升不是一条定律，它成立的条件是一个必须逐器件核对的不等式

是什么。热流密度是单位芯片面积上的损耗：

q″ = P_die / A_die　　（W/cm²）

⚠ 口径先钉死：本课的 A_die 一律取芯片外形面积——有源区面积是另一个数，两者不能混用，同一份报告里换着用会让 q″ 差出百分之十几而无人察觉。换 SiC 的时候，这个比值的分子与分母同时变小：芯片小了，损耗也低了。写成比值就一目了然：

q″_SiC / q″_Si = (P_SiC / P_Si) · (A_Si / A_SiC)

⇒ 只有当面积缩小的比例大于损耗下降的比例时，q″ 才上升。

为什么这是条件而不是定律。这条不等式在实际选型里通常成立：SiC 的单位面积电流能力更强，同等输出下芯片明显更小，而损耗的降幅有限，何况若把省下的开关损耗拿去提频（1.5），损耗还会被抬回来。但「通常成立」不等于「总是成立」——同一句话在另一种选型取向下就不成立：如果这次换 SiC 的目的是保持芯片面积不变、纯粹去换效率与结温余量，那么分母没动、分子下降，q″ 反而是下降的。⇒ 正文里这句话必须写成条件式，⛔ 不得写成「换 SiC 之后热流密度一定上升」这样的全称。⚠ 这不是咬文嚼字：把条件当定律的人，会跳过核对这一步，直接照「热流密度更高」去定冷板指标，而他手上那个方案可能恰好落在另一侧。

工程量级/典型值。SiC 芯片的热流密度写数百 W/cm² 量级（典型）。⚠ 一条硬约束：⛔ 本课不给 Si 的对应区间，因此一句倍数或数量级比较都不写——不写「高一个数量级」，不写「是 Si 的几倍」。理由很直白：拿一个自己都不肯给出的数去支撑一个倍数结论，那个倍数就是编的。要判自己的项目落在哪一侧，靠的是上面那条不等式，不是一个记住的倍数。教学假设值下，150 W ÷ 0.40 cm² = 375.0 W/cm²（⚠ 教学假设值，⛔ 不对应任何器件，禁止取用）。

易错点。

• ① 拿 q″ 去反算所需换热系数或反解冷板参数。q″ 是芯片面这一处的量，冷板那一段看到的是被扩热摊开之后、并且叠加了同一块冷板上其它开关位的热流——两处的分母根本不是一个面积。⚠ 这条禁令是 E2-01 逆变器/IGBT 散热设计与冷板 立的，本课重申。
• ② A_die 的口径不写清。外形面积与有源区面积在同一份材料里换着用，是这类计算里最不起眼的一处系统偏差。
• ③ 把 q″ 当成有绝对门限的量去比大小——「多少 W/cm² 以上就必须上双面」这种说法没有物理基础。单相强制对流不存在沸腾意义上的临界热流密度，能不能撑住取决于整条链的热阻与允许温升，⛔ 不取决于 q″ 越没越过某个数。判据在第 2 讲末尾给。

1.4 SiC 的高导热率救不了小面积：那一层在整条链里本来就只占很小一段

是什么。4H-SiC 的导热率高于 Si——室温下 Si 约 130~150 W/(m·K)、4H-SiC 约 370~490 W/(m·K)（与 E2-03 功率模块封装、DBC 与热阻网络 同口径、同来源级别，属材料手册值，第 2 级来源；⚠ 两者都随温度上升而下降，Si 在 150 ℃ 附近已降到 100 量级，SiC 另有各向异性，引用时须连测试条件一起取）。于是很自然地会冒出一个直觉：材料更导热，散热就更容易。

为什么这条直觉不成立。因为芯片是被减薄到百微米量级的一片，它在整条热阻链里贡献的那一段本来就很小。本课把从结面往下走到冷却液的那条路径叫下支路（逐段拆账在第 2 讲），它的总热阻记 R_bot。教学假设几何下（芯片 150 μm、k 取 370，⚠ 教学假设值），芯片厚度方向那一段是 0.0097 K/W，只占 R_bot（0.3558 K/W）的 2.7%。把它的导热率从 370 提到 490（+32%），整条下支路只降 0.67%——绝对值 0.0024 K/W。⇒ 真正被 SiC 改掉的是 q″ 式子里的分母（面积），⛔ 不是这一层的材料；一个改的是整条链上每一段的有效面积，另一个只改了一段里的一项。

工程量级/典型值。作为对照，同一份教学假设下另外两个「砍掉一半」的动作各值多少：冷板壁到冷却液那一段从 0.060 砍到 0.030 K/W，R_bot 降 8.4%（0.0300 K/W）；界面的面积热阻从 0.20 砍到 0.10 K·cm²/W，R_bot 降 12.8%（0.0454 K/W）。⚠ 这三个数全部为教学假设值算出，⛔ 不对应任何平台/器件/封装，禁止取用；列它们只为一个用途——让「换半导体材料」与「改热路」这两类动作的量级摆在一起看。⚠ 同时提醒一句：本图⛔ 不能反过来读成「冷板段很值钱」，那一段自己的边际收益判据在第 2 讲给，与这里的对照不是同一个问题。

易错点。

• ① 拿材料导热率去论证架构优劣。架构优劣看的是整条链的逐段拆账，不是某一层的单项物性——哪一段占比大，改哪一段才有用。
• ② 用室温的 k 去算高温工况。两种材料的导热率都随温度下降，室温值算出来的热阻是偏乐观的一侧。
• ③ 把「SiC 导热好」与「SiC 芯片薄」混成一件事。前者是材料属性、后者是工艺选择，而且两者在散热上的作用方向还相反：芯片越薄，厚度方向那一段热阻越小（有利），但沿厚度方向的扩热也越少，交给下一层的有效面积就越小（不利）。⇒ 减薄不是单向的好事，它把一部分收益从这一层挪到了下一层的坏账里。

1.5 「开关损耗低」是一个可以拿去换东西的自由度，不是「一定省了多少热」

是什么。SiC MOSFET 的单次开关能量显著低于同档 Si IGBT，这带来两种互斥的用法：保持开关频率不变，把它兑现成损耗下降；或者保持损耗不变，把它兑现成频率上升（换来更小的电流纹波、更小的滤波与磁性件、更好的控制带宽）。这两条路可以取中间点，但不能两头都要。

为什么必须先选一个。开关损耗随开关频率上升（损耗模型本体在前置课 E2-01 逆变器/IGBT 散热设计与冷板，本课不重讲）：提频会把省下来的那一部分吃回去。⇒「既省了损耗、又提了频率」这句话在同一笔账上不成立，它只可能来自两套不同假设下算出的两个数被拼在了一页 PPT 上。这条取向决定了本门课的输入：如果取向是提频，那么进入散热账的损耗未必比上一代 Si 低，而芯片面积缩小带来的热流密度上升照旧存在 ⇒ 散热压力两头夹。⚠ 这正是「换了 SiC 结果散热更难做」这种现场反馈的来源——它不是矛盾，是取向选择的必然结果。

工程量级/典型值。⛔ 本课不给具体的节省比例，也不给频率档。两者都是器件与平台相关量：节省比例取决于所选器件的开关能量与标定条件，频率档取决于本项目的电机、母线、EMC 与控制要求。⚠ 引用器件手册的开关能量时要写清是哪个产品、哪一组测试条件（母线电压、电流、结温、栅极电阻缺一不可）。提频这笔账里还有哪些代价、它们之间怎么互相抵消，第 6 讲专门列。

易错点。

• ① 在同一次方案评审里同时宣称「损耗降了 X」和「频率提到 Y」，而这两个数来自两套不同的假设。这条错误几乎不会被当场抓到，因为两个数各自都是真的。
• ② 只把提频的收益写进自己的报告，把代价留在别人的账本上——滤波件变小算电控的功劳，EMC 整改、电机绝缘应力、盒级散热变差算别人的麻烦。
• ③ 忘了取向一变，功率循环的导通时长也跟着变，而导通时长决定考核的是哪一处失效位点 ⇒ 可靠性那本账的输入也变了（去向 E2-07 功率模块热可靠性与寿命评估：功率循环、任务剖面与 AQG 324）。

1.6 这条误区真正的形态不是一句话，是一个具体动作

是什么。「SiC 结温上限高，所以可以少散热」这条误区，在工程上几乎不会以一句话的形式说出口——没有人会在评审会上这么讲。它出现的形态是一个具体动作：沿用上一代 Si 平台的冷板图纸、沿用上一代的冷板段热阻预算、沿用上一代的进口液温目标，只把模块换掉。整个过程听起来非常克制、非常「工程」，因为它看上去只是一次局部替换。

为什么这个动作特别危险。因为「换模块」这件事同时改掉了好几样东西，而它们没有一样写在更改单上：热流密度改了（1.3）；链上各段的有效面积改了（芯片小了、扩热少了，下游每一层能摊到的面积跟着小，1.4 的第③条）；封装形式还可能改了（无基板、双面）。⇒ 上一代那份预算里，没有一项还成立。而平台相关的门限本来就必须由本项目重新定，⛔ 禁止抄上一代——这条在本课的落点就是这一处。

工程量级/典型值。⛔ 这一节一个数都不给。要给的是一份必须重算的清单（至少这几项）：

1. q″——按新的 P_die 与新的 A_die 重算，并按 1.3 的不等式判它到底往哪个方向走；
2. 各段的有效面积——它决定每一段热阻的大小，而它随芯片尺寸变；
3. R_bot 的逐段拆账——不只是总值，是各段占比（第 2 讲）；
4. 设计用 Tj_max——按新器件、新封装的寿命目标重新反推（去向 E2-07 功率模块热可靠性与寿命评估：功率循环、任务剖面与 AQG 324）；
5. 可用 ΔTj 预算——它随 4 一起变；
6. 进口液温目标——它由整车回路给，换平台就要重新谈。

易错点。

• ① 只重算总热阻、不重算各段占比。总值可能变化不大，而占比结构已经完全变了——占比一变，该往哪里投钱就变了。这是第 2 讲整讲要处理的事。
• ② 沿用上一代的对比结论，比如「上一代做过双面，只降了 X%，不值」。那个百分比绑死在上一代的封装几何上，换一套封装它就不是那个数了；为什么它是绑死的，第 4 讲会给出恒等式。
• ③ 把「模块厂说可以直接替换」当成散热可以直接替换。前者说的是电气与机械接口——引脚定义、爬电距离、安装孔位、母排接口；它一个字都没说热阻预算与冷板。